ANOVA

    關於ANOVA

    林朋科技 (簡稱:林朋) 於1995年年2月創立於台中市大甲幼獅工業區

    SINCE 1995
    ODM OEM
    23 YEARS

    林朋擁有有晶圓廠及封裝廠,是⼀間從晶片製造、封裝、測試都能⼀條龍作業的全⽅位電路保護元件的⼆極體專業供應製造商。

    生產據點

    東二晶圓廠

    • 東二街, 幼獅工業區
    • 晶圓廠
      GPP for TVS、Zener、Rectifier
    • 研發工程

    青年封裝廠

    • 青年路, 幼獅工業區
    • SMD封裝線
      SMA、SMB、SMC
      AK/Cell Series、DO-218
    • Axial封裝線
      R6、DO-15
      DO-41、DO-27、DO-201

    產品

    為提供優質的電路路保護解決方案,林朋致力於二極體的研發、製造能力及創新技術以提供瞬態電壓抑制二極體(Transient Voltage Suppressor)、齊納二極體(Zener diodes)及整流二極體(Rectifier diodes)等三種主要半導體功率分離元件產品。亦可提供客戶各種不同封裝類型的產品,例如最新的 SMD封裝或傳統軸式(Axial)封裝等產品元件,近年來更成功切入新技術的薄型化封裝DO-218系列產品,以符合市場需求。

    林朋優勢

    多年來,林朋以台灣積極、勤奮、勇於挑戰的特質不斷自我超越。在工程上,工程團隊致力於製程能力提升、創新研發,以堅強的專業實力,可提供客製化需求。在服務上,為了讓客戶掌握競爭優勢,本公司備有全系列庫存,縮短交期,為客戶打造靈活運作、快速掌握訂單的契機。在品管上,品質一直是我們最深的堅持,嚴密的品管系統、迅速的客訴回覆處理理,使每個產品得到最安心的保證。客戶的信賴,是我們的驕傲。

    多元
    研發
    革新
    改善

    經營理念

    林朋將持續秉持著「品質、創新、專業」的經營理念,不斷精益求精的原則,提供最有價值的產品與服務,更更要為客戶、員工、合作夥伴創造價值,專注於本業透過短中長期的行銷、生產、產品發展策略以及營運規模、財務配合之營運計畫,實現與全球電子業共同成長的願景。

    專利證書

    10月 2018
    8月 2018
    7月 2017
    3月 2016
    7月 2015
    7月 2014
    10月 2013
    7月 2013
    6月 2013
    6月 2009
    獲得台灣新型專利 - 貼片式雷擊保護器結構

    獲得台灣新型專利 - 貼片式雷擊保護器結構

    取得貼片式雷擊保護器結構之新型專利證書(證書號第 M 569080 號)

    獲得台灣新型專利 - 大電流雷擊衝擊之保護器結構

    獲得台灣新型專利 - 大電流雷擊衝擊之保護器結構

    取得大電流雷擊衝擊之保護器結構之新型專利證書(證書號第 M 505403號)

    獲得台灣發明專利 - 半導體封裝結構

    獲得台灣發明專利 - 半導體封裝結構

    取得半導體封裝結構之發明專利證書 (證書號第 I 593067號)

    獲得美國發明專利 - 高信賴性之半導體封裝結構

    獲得美國發明專利 - 高信賴性之半導體封裝結構

    取得高信賴性之半導體封裝結構之發明專利證書 (證書號第 US.9299679號)

    獲得台灣發明專利 - 半導體雷擊保護裝置

    獲得台灣發明專利 - 半導體雷擊保護裝置

    取得半導體雷擊保護裝置之發明專利證書 (證書號第 I 492359號)

    獲得台灣新型專利 - 具有散熱底座的表面黏著型半導體封裝結構及其導線架結構

    獲得台灣新型專利 - 具有散熱底座的表面黏著型半導體封裝結構及其導線架結構

    取得具有散熱底座的表面黏著型半導體封裝結構及其導線架結構之新型專利證書 (證書號第 M 482847號)

    獲得台灣發明專利 - 於矽晶圓表面形成玻璃層之製造方法

    獲得台灣發明專利 - 於矽晶圓表面形成玻璃層之製造方法

    取得於矽晶圓表面形成玻璃層之製造方法之發明專利證書 (證書號第 I 413184號)

    獲得台灣新型專利 - 半導體突波抑制器封裝體結構

    獲得台灣新型專利 - 半導體突波抑制器封裝體結構

    取得半導體突波抑制器封裝體結構之新型專利證書 (證書號第 M 458018號)

    獲得台灣發明專利 - 可改變耐壓之瞬態電壓抑制器製造方法

    獲得台灣發明專利 - 可改變耐壓之瞬態電壓抑制器製造方法

    取得可改變耐壓之瞬態電壓抑制器製造方法之發明專利證書 (證書號第 I 399828號)

    獲得台灣新型專利 - 表面黏著型半導體封裝結構及其導線架結構

    獲得台灣新型專利 - 表面黏著型半導體封裝結構及其導線架結構

    取得表面黏著型半導體封裝結構及其導線架結構之新型專利證書 (證書號第 M 359797號)

    品質認證